The invention refers to an optical measurement arrangement, in particular
for layer thickness measurement and for ascertaining optical material
properties such as refractive index, extinction factor, etc. of a specimen
(P), having an illumination device (1) for emitting a measurement light
beam (6), a beam splitter (8) for dividing the measurement light beam (6)
into a specimen light beam (10) and a reference light beam (9), a
measurement objective for directing the specimen light beam (10) onto a
measurement location (M) on the surface of the specimen (P) and for
acquiring the light reflected from the measurement location (M), and an
analysis device (11) into which the reference light beam (9) and the
specimen light beam (10) reflected from the specimen (P) are coupled in
order to obtain information about the specimen (P), in particular about
layer thicknesses present thereon. Light-guiding devices (23, 25) having a
plurality of light-guiding fibers are provided for coupling the specimen
light beam (10) and the reference light beam (9) into the analysis device
(11). The result is to create a compact optical measurement arrangement
that can be flexibly set up and is insensitive to disturbance, which is
suitable in particular for automatic monitoring of continuous production
processes, in particular in semiconductor chip manufacture.
Вымысел ссылается к оптически расположению измерения, в частности для измерения толщины слоя и для удостоверять в оптически материальных свойствах such as рефрактивный индекс, фактор вымирания, ETC образца (p), имеющ приспособление освещения (1) для испускать световой луч измерения (6), splitter луча (8) для разделять световой луч измерения (6) в световой луч образца (10) и световой луч справки (9), задачу измерения для сразу световой луч образца (10) на положение измерения (M) на поверхности образца (P) и для приобретать свет отраженный от положения измерения (m), и приспособление анализа (11) в световой луч справки (9) и световой луч образца (10) отразили от образца (P) соедините для того чтобы получить информацию о образце (p), в частности о толщинах слоя присытствыющих thereon. Свет-napravl44 приспособления (23, 25) имея множественность свет-napravl44 волокон обеспечены для соединять световой луч образца (10) и световой луч справки (9) в приспособление анализа (11). Результат должен создать компактное оптически расположение измерения можно гибко установить вверх и нечувствительно к помехе, которая целесообразна в частности для автоматический контролировать процессов непрерывня производство, в частности в изготовлении обломока полупроводника.
