The invention concerns a method for forming metallization and contact structures in an integrated circuit. The method involoves the steps of etching a trench in the trench dielectric layer a trench dielectric layer of a composite structure containing a semiconductor substrate comprising an active region, a gate structure thereover, and dielectric spacers adjacent to the gate structure, a contact dielectric layer; and the trench dielectric layer; etching the contact dielectric layer under conditions which do not damage the gate structure to form a first contact opening that exposes a region of the semiconductor substrate; and depositing a conductive material into the contact opening and the trench.

Die Erfindung betrifft eine Methode für die Formung der Metallization- und Kontaktstrukturen in einer integrierten Schaltung. Die Methode involoves die Schritte des Ätzens eines Grabens in der dielektrischen Schicht des Grabens ein dielektrische Schicht des Grabens einer zusammengesetzten Struktur, die ein Halbleitersubstrat enthält eine aktive Region, ein Gatterstruktur thereover und dielektrische Distanzscheiben neben der Gatterstruktur, eine Kontaktnichtleiterschicht enthält; und die Grabennichtleiterschicht; die dielektrische Schicht des Kontaktes unter Bedingungen ätzen, die nicht die Gatterstruktur beschädigen, um eine erste Kontaktöffnung zu bilden, die eine Region des Halbleitersubstrates herausstellt; und ein leitendes Material in die Kontaktöffnung und in den Graben niederlegend.