The present invention discloses an ALD method including: respectively loading a plurality of substrates into a plurality of reaction cells, the plurality of reaction cells being disposed in a reaction chamber isolated from an exterior condition; alternately and repeatedly applying various vapor substances onto each substrate such that a thin film is formed on each substrate, wherein a plurality of vapor injection pipes each injecting one of the vapor substances periodically scans over each substrate to apply the various vapor substances alternately and repeatedly onto each substrate. In another aspect, the present invention discloses a semiconductor device fabricating apparatus including: a plurality of susceptors on which the same number of substrates are respectively mounted; a reaction chamber isolating all the substrates on the plurality of susceptors from an exterior condition; a plurality of vapor injection pipes disposed over the substrates, each vapor injection pipe relatively rotating with respect to the substrates and periodically applying a vapor substance onto each substrate; a plurality of exhausting portion each disposed near a corresponding susceptor to exhaust a remaining vapor substance out of the reaction chamber.

Присытствыющий вымысел показывает метод ALD включая: соответственно нагружающ множественность субстратов в множественность клеток реакции, множественность клеток реакции будучи размещанным в изолированной камере реакции от exterior состояния; друг и повторно прикладывающ различные вещества пара на каждый субстрат такое что тонкая пленка сформирована на каждом субстрате, при котором множественность впрыски пара пускает каждое по трубам впрыскивая одно из веществ пара периодически просматривает над каждым субстратом для того чтобы приложить различные вещества пара друг и повторно на каждый субстрат. В другом аспекте, присытствыющий вымысел показывает прибор прибора на полупроводниках изготовляя включая: множественность susceptors на такой же число субстратов соответственно установлен; камера реакции изолируя все субстраты на множественности susceptors от exterior состояния; множественность труб впрыски пара размещала над субстратами, каждой трубой впрыски пара относительно вращая по отношению к субстратам и периодически прикладывая вещество пара на каждый субстрат; множественность выматываясь части каждое размещала почти соответствуя susceptor вымотать остальное вещество пара из камеры реакции.