A semiconductor device having improved reliability is provided. The
semiconductor device has a pixel portion. The pixel portion has a TFT and
a storage capacitor. The TFT and the storage capacitor has a semiconductor
layer which includes first and second regions formed continuously. The TFT
has the first region of the semiconductor layer including a channel
forming region, a source region and a drain region located outside the
channel forming region, a gate insulating film adjacent to the first
region of the semiconductor layer, and a gate electrode formed on the gate
insulating film. The storage capacitor has the second region of the
semiconductor layer, an insulating film formed adjacent to the second
region of the semiconductor layer, and a capacitor wiring formed on the
insulating film. The second region of the semiconductor layer contains an
impurity element for imparting n-type or p-type conductivity. The
thickness of the insulating film adjacent to the second region of the
semiconductor layer is thinner than that of the film on the region in
which the TFT is formed.
Un dispositif de semi-conducteur ayant amélioré la fiabilité est fourni. Le dispositif de semi-conducteur a une partie de Pixel. La partie de Pixel a un TFT et un condensateur de stockage. Le TFT et le condensateur de stockage a une couche de semi-conducteur qui inclut d'abord et les deuxièmes régions formées sans interruption. Le TFT a la première région de la couche de semi-conducteur comprenant un canal formant la région, une région de source et une région de drain située en dehors du canal formant la région, un film isolant de porte à côté de la première région de la couche de semi-conducteur, et une électrode de porte formée sur le film isolant de porte. Le condensateur de stockage a la deuxième région de la couche de semi-conducteur, un film isolant formé à côté de la deuxième région de la couche de semi-conducteur, et un câblage de condensateur formé sur le film isolant. La deuxième région de la couche de semi-conducteur contient un élément d'impureté pour donner le n-type ou le p-type conductivité. L'épaisseur du film isolant à côté de la deuxième région de la couche de semi-conducteur est plus mince que celle du film sur la région dans laquelle le TFT est formé.
