In a bonded semiconductor member, microgaps are formed on a substrate side of a bonding interface to thereby constitute a gettering site, and heavy metal elements contaminated in the substrate are captured by the microgaps. The bonded semiconductor member is manufactured by interposing the microgaps between two substrates.

Dans un membre collé de semi-conducteur, des microgaps sont formés d'un côté de substrat d'une interface de liaison pour constituer de ce fait un emplacement gettering, et des éléments de métal lourd souillés dans le substrat sont capturés par les microgaps. Le membre collé de semi-conducteur est fabriqué en interposant les microgaps entre deux substrats.