A memory array is provided that includes a conductive line adapted to induce a magnetic field around less than all of the magnetic memory junctions arranged along a row or a column of the array. In some cases, the conductive line may be adapted to induce a magnetic field around more than two magnetic memory cell junctions. Alternatively, the conductive line may be adapted to induce a magnetic field around no more than two magnetic memory cell junctions. In either case, the conductive line may include a first portion vertically aligned with one of a plurality of magnetic memory cell junctions and a second portion vertically aligned with another of the plurality of magnetic memory cell junctions. In some embodiments, the second portion may be positioned such that a direction of current flow through the second portion is different than a direction of current flow through the first portion.

Un arsenal de la memoria es a condición de que incluye una línea conductora adaptada para inducir un campo magnético alrededor de menos que todas las ensambladuras magnéticas de la memoria dispuestas a lo largo de una fila o de una columna del arsenal. En algunos casos, la línea conductora se puede adaptar para inducir un campo magnético alrededor de más de dos ensambladuras magnéticas de la célula de memoria. Alternativomente, la línea conductora se puede adaptar para inducir un campo magnético alrededor de no más de dos ensambladuras magnéticas de la célula de memoria. En cualquier caso, la línea conductora puede incluir una primera porción alineada verticalmente con una de una pluralidad de ensambladuras magnéticas de la célula de memoria y una segunda porción alineada verticalmente con otra de la pluralidad de ensambladuras magnéticas de la célula de memoria. En algunas encarnaciones, la segunda porción se puede colocar tales que una dirección de la corriente atraviesa la segunda porción es diferente que una dirección de la corriente atraviesa la primera porción.