A plurality of word lines (WL1) are provided in parallel to one another and a plurality of bit lines (BL1) are provided in parallel to one another, intersecting the word lines (WL1) thereabove. MRAM cells (MC2) are formed at intersections of the word lines and the bit lines therebetween. MRAM cells (MC3) are provided so that an easy axis indicated by the arrow has an angle of 45 degrees with respect to the bit lines and the word lines. Thus, an MRAM capable of cutting the power consumption in writing is achieved and further an MRAM capable of reducing the time required for erasing and writing operations is achieved.

Una pluralità di linee di parola (WL1) è fornita parallelamente ad uno un altro e una pluralità di linee della punta (BL1) è fornita parallelamente ad uno un altro, intersecando le linee di parola (WL1) thereabove. Le cellule di MRAM (MC2) sono formate alle intersezioni delle linee di parola e delle linee della punta therebetween. Le cellule di MRAM (MC3) sono fornite in modo che un asse facile indicato dalla freccia abbia un angolo di 45 gradi riguardo alle linee della punta ed alle linee di parola. Quindi, un MRAM capace di taglio dell'assorbimento di corrente di energia nella scrittura è realizzato e più ulteriormente un MRAM capace di riduzione del tempo richiesto per la cancellazione e la scrittura dei funzionamenti è realizzato.