In a memory, a sensing system detects bit states using one data and two reference inputs, to sense a difference in conductance of a selected memory bit cell and a midpoint reference conductance. Reference conductance is generated as the average conductance of a memory cell in the high conductance state and a memory cell in the low conductance state. The data input is coupled to the selected memory bit cell. The two reference inputs are respectively coupled to memory cells in high and low conductance memory states. The sense amplifiers use either current biasing or voltage biasing to apply a sensing voltage within a predetermined voltage range across the bit cells. Capacitance coupled to complementary outputs of the sense amplifiers is balanced by the circuit designs. In one form, the two reference inputs are internally connected. One of several gain stages amplifies the sense amplifier output without injecting parasitic errors.

In een geheugen, een ontdekkend systeem beetjestaten gebruikend één gegeven en twee verwijzingsinput, ontdekt om een verschil in geleidingsvermogen van een geselecteerde cel van het geheugenbeetje en een geleidingsvermogen van de middelpuntverwijzing te ontdekken. Het geleidingsvermogen van de verwijzing wordt geproduceerd als gemiddeld geleidingsvermogen van een geheugencel in de hoge geleidingsvermogenstaat en een geheugencel in de lage geleidingsvermogenstaat. De gegevensinput wordt gekoppeld aan de geselecteerde cel van het geheugenbeetje. De twee verwijzingsinput wordt respectievelijk gekoppeld aan geheugencellen in de hoge en lage staten van het geleidingsvermogengeheugen. De betekenisversterkers gebruiken of het huidige beïnvloeden of voltage het beïnvloeden om een het ontdekken voltage binnen een vooraf bepaalde voltagewaaier over de beetjecellen toe te passen. De capacitieve weerstand die aan bijkomende output van de betekenisversterkers wordt gekoppeld wordt in evenwicht gebracht door de kringsontwerpen. In één vorm, wordt de twee verwijzingsinput intern verbonden. Één van verscheidene aanwinstenstadia vergroot de output van de betekenisversterker zonder parasitische fouten in te spuiten.

 
Web www.patentalert.com

< Self-aligned magnetic clad write line and its method of formation

< Magnetic memory device in which influence of adjacent memory cell is controllable

> Non-orthogonal MRAM device

> Magnetic memory device and magnetic substrate

~ 00080