A magnetic memory device includes a plurality of word lines extending into a first direction, a plurality of bit lines extending into a second direction, and a plurality of magnetic memory cells which are provided at intersections of the word lines and the bit lines. Each of the memory cells includes a ferromagnetic film. Data is written in a first one of the magnetic memory cells with a synthetic magnetic field generated by first current flowing on a specific word line associated with the first magnetic memory cell and second current flowing on a specific bit line associated with the first magnetic memory cell.

Un dispositivo di memoria magnetico include una pluralità di linee di parola che avanzano in un primo senso, una pluralità di linee della punta che avanzano in un secondo senso e una pluralità di cellule di memoria magnetiche che sono fornite alle intersezioni delle linee di parola e delle linee della punta. Ciascuna delle cellule di memoria include una pellicola ferromagnetica. I dati sono redatti in primo delle cellule di memoria magnetiche con un campo magnetico sintetico generato dal primo fluire corrente su una linea specifica di parola connessa con la prima cellula di memoria magnetica e dal fluire in secondo luogo corrente su una linea specifica della punta connessa con la prima cellula di memoria magnetica.