A self-aligned magnetic clad bit line structure (274) for a magnetic memory element (240a) and its method of formation are disclosed, wherein the self-aligned magnetic clad bit line structure (274) extends within a trench (258) and includes a conductive material (250), magnetic cladding sidewalls (262) and a magnetic cladding cap (252). The magnetic cladding sidewalls (262) at least partially surround the conductive material (264) and the magnetic cladding cap (252) is substantially recessed within the trench with respect to the top of the trench.

Selbst-ausgerichtetes magnetisches plattiertes Spitze Leitungsstruktur (274) für ein magnetisches Gedächtniselement (240a) und seine Methode der Anordnung werden freigegeben, worin Selbst-ausgerichtete magnetische plattierte Spitze Leitungsstruktur (274) innerhalb eines Grabens (258) verlängert und ein leitendes Material (250), magnetische Umhüllungseitenwände (262) und eine magnetische Umhüllungkappe (252) miteinschließt. Die magnetischen Umhüllungseitenwände (262) mindestens umgeben teilweise das leitende Material (264) und die magnetische Umhüllungkappe (252) wird im wesentlichen innerhalb des Grabens in Bezug auf die Oberseite des Grabens vertieft.