An MRAM data storage device has at least one digit line, at least one bit line, and at least one MRAM cell disposed proximate to a digit line and electrically connected to a bit line. Each end of each digit line is connected to a write current source and a write current sink. One end of each bit line is connected to a write current source and a read current source while the other end of each bit line is connected to a write current sink. Two logic signals R and D are used to determine the direction of the write current in the digit line, to select between the read current and the write current in the bit line. The state of the MRAM cell is read by detecting the voltage drop across the cell when a read current is applied.

Μια συσκευή αποθήκευσης στοιχείων MRAM έχει τουλάχιστον μια γραμμή ψηφίων, τουλάχιστον κάποια δάγκωσε τη γραμμή, και τουλάχιστον ένα κύτταρο MRAM διέθεσε εγγύτατο σε μια γραμμή ψηφίων και σύνδεσε ηλεκτρικά με μια γραμμή κομματιών. Κάθε τέλος κάθε γραμμής ψηφίων συνδέεται με γράφει την τρέχουσα πηγή και γράψτε τον τρέχοντα νεροχύτη. Ένα τέλος κάθε γραμμής κομματιών συνδέεται με γράφει την τρέχουσα πηγή και μια διαβασμένη τρέχουσα πηγή ενώ το άλλο τέλος κάθε γραμμής κομματιών συνδέεται με γράφει τον τρέχοντα νεροχύτη. Η λογική δύο κάνει σήμα ότι η Ε και Α χρησιμοποιείται για να καθορίσει η κατεύθυνση γράφει το ρεύμα στη γραμμή ψηφίων, για να επιλέξετε μεταξύ του διαβασμένου ρεύματος και γράψτε το ρεύμα στη γραμμή κομματιών. Η κατάσταση του κυττάρου MRAM διαβάζεται με την ανίχνευση της πτώσης τάσης σε ολόκληρο το κύτταρο όταν εφαρμόζεται ένα διαβασμένο ρεύμα.