A method for manufacturing a non-volatile memory device including a self-aligned gate structure, and a non-volatile memory device manufactured by the same method, are provided. In the method for manufacturing a non-volatile memory device, a tunnel dielectric layer is formed on a semiconductor substrate. First floating gate patterns are formed on the tunnel dielectric layer. Mold patterns are formed on the first floating gate patterns to selectively expose predetermined portions of the first floating gate patterns. Floating gates are formed by removing the exposed portions of the first floating gate patterns using the mold patterns as a mask. Interlayer dielectric layer patterns are formed for insulating the floating gates from one another by filling gaps between the mold patterns. The mold patterns exposed between the interlayer dielectric layer patterns are formed using the interlayer dielectric layer patterns as an etching mask. A dielectric layer is formed on the floating gates exposed by the removal of the mold patterns, between the interlayer dielectric layer patterns. Control gates are formed, aligned with the floating gates, by filling gaps between the interlayer dielectric layer patterns on the dielectric layer.

Un método para fabricar un dispositivo de memoria permanente incluyendo una estructura uno mismo-alineada de la puerta, y un dispositivo de memoria permanente fabricado por el mismo método, se proporcionan. En el método para fabricar un dispositivo de memoria permanente, una capa dieléctrica del túnel se forma en un substrato del semiconductor. Los primeros patrones flotantes de la puerta se forman en la capa del dieléctrico del túnel. Los patrones del molde se forman en los primeros patrones flotantes de la puerta para exponer selectivamente las porciones predeterminadas de los primeros patrones flotantes de la puerta. Las puertas flotantes son formadas quitando las porciones expuestas de los primeros patrones flotantes de la puerta usando los patrones del molde como máscara. Los patrones dieléctricos de la capa de la capa intermediaria son formados para aislar las puertas flotantes a partir de la una otras llenando boquetes entre los patrones del molde. Los patrones del molde expuestos entre los patrones dieléctricos de la capa de la capa intermediaria se forman usando los patrones dieléctricos de la capa de la capa intermediaria como máscara de la aguafuerte. Una capa dieléctrica se forma en las puertas flotantes expuestas por el retiro de los patrones del molde, entre los patrones dieléctricos de la capa de la capa intermediaria. Las puertas del control son formadas, alineado con las puertas flotantes, llenando boquetes entre los patrones dieléctricos de la capa de la capa intermediaria en la capa dieléctrica.