An MRAM device includes an array of memory cells. A plurality of traces cross the memory cells. An address decoder coupled to the plurality of traces decodes an address and selects a corresponding subset of the traces. A sparing circuit coupled to the address decoder receives a logical address and outputs a physical address to the address decoder based on memory cell defect information.

Eine MRAM Vorrichtung schließt eine Reihe Speicherzellen ein. Eine Mehrzahl der Spuren kreuzen die Speicherzellen. Eine Adressencodierung, die zur Mehrzahl der Spuren verbunden wird, decodiert eine Adresse und wählt eine entsprechende Teilmenge der Spuren vor. Ein ersparenstromkreis, der zur Adressencodierung verbunden wird, empfängt eine logische Adresse und gibt eine körperliche Adresse zur Adressencodierung aus, die auf Speicherzelle Defektinformationen basiert.