A semiconductor memory device is provided which can apply a redundancy circuit replacement program to cells by a DS testing in a parallel testing state. That is, in this semiconductor memory device, when the redundancy circuit replacement is effected on an electrically programmable nonvolatile memory device, an internal circuit is so provided as to detect a defect chip retrievable on a DS tester while being in a parallel testing state as well as address information contained in the defect chip and, by doing so, it is possible to achieve the redundancy circuit replacement.

Μια συσκευή μνήμης ημιαγωγών παρέχεται που μπορεί να εφαρμόσει ένα πρόγραμμα αντικατάστασης κυκλωμάτων πλεονασμού στα κύτταρα από ένα DS που εξετάζουν σε ένα παράλληλο εξεταστικό κράτος. Δηλαδή σε αυτήν την συσκευή μνήμης ημιαγωγών, όταν επηρεάζεται η αντικατάσταση κυκλωμάτων πλεονασμού σε μια ηλεκτρικά προγραμματίσημη συσκευή αμετάβλητης μνήμης, ένα εσωτερικό κύκλωμα παρέχεται έτσι ώστε να ανιχνευθεί ένα τσιπ ατέλειας ανακτήσιμο σε έναν ελεγκτή DS ενώ όντας σε παράλληλες εξεταστικές πληροφορίες κράτους καθώς επίσης και διευθύνσεων που περιλαμβάνονται στο τσιπ ατέλειας και, με αυτόν τον τρόπο, είναι δυνατό να επιτευχθεί η αντικατάσταση κυκλωμάτων πλεονασμού.