Since a memory cell of a so-called MRAM utilizing a conventional tunnel magnetic resistance forms writing word lines below data lines, there are the following problems. A process becomes hard because it is necessary to execute a self-aligned contact opening process with passing through portions between the writing word lines, or since it is hard that the writing word lines sufficiently overlap with a magnetic resistance device in a planner manner due to a restriction of layout, the data writing becomes unstable. In order to solve the problems mentioned above, the present invention provides a structure of MRAM memory cell in which the writing word lines are formed above the bit lines, and a method of manufacturing the same. In accordance with the present invention, a process at a time of forming a memory cell plug becomes easy in comparison with a conventional one, there can be obtained a layout so that a magnetic field from the writing word line effectively acts on a magnetic resistance device due to the writing word line formed in an upper portion, and a stable writing can be executed.

Depuis une cellule de mémoire d'un prétendu MRAM utilisant les formes magnétiques d'une résistance de tunnel conventionnel écrivant des lignes de mot au-dessous des lignes de données, il y a les problèmes suivants. Un processus devient dur parce qu'il est nécessaire d'exécuter un processus d'ouverture de contact de art de l'auto-portrait-aligned avec le dépassement par des parties entre les lignes de mot d'écriture, ou puisqu'il est dur que les lignes de mot d'écriture recouvrent suffisamment avec un dispositif magnétique de résistance d'une façon de planificateur due à une restriction de la disposition, l'écriture de données devient instable. Afin de résoudre les problèmes mentionnés ci-dessus, la présente invention fournit une structure de cellule de mémoire de MRAM en laquelle les lignes de mot d'écriture sont formées au-dessus des lignes de peu, et une méthode de fabriquer la même chose. Selon la présente invention, un processus à la fois de former une prise de cellules de mémoire devient facile en comparaison de conventionnel, là peut être obtenu une disposition de sorte qu'un champ magnétique de la ligne de mot d'écriture agisse efficacement sur un dispositif magnétique de résistance dû à la ligne de mot d'écriture formée dans une partie supérieure, et une écriture stable peut être exécutée.