A magnetic memory device capable of preventing complication of the structure of an amplifier (sense amplifier) and enabling high-speed reading is provided. In this magnetic memory device, a memory cell is formed by a pair of first and second storage elements exhibiting a ferromagnetic tunnel effect and a pair of first and second transistors while an amplifier detects potential difference between a bit line and an inverted bit line connected to the pair of first and second storage elements. Thus, data can be readily read. Further, the value of a small current flowing to the bit line may not be detected dissimilarly to a case of forming the memory cell by a storage element exhibiting a ferromagnetic tunnel effect and a transistor. Consequently, the structure of the amplifier is not complicated. Further, no amplifier having a complicated structure may be employed, whereby high-speed reading is enabled.

Een magnetisch geheugenapparaat geschikt om complicatie van de structuur van een versterker (betekenisversterker) te verhinderen wordt en hoge snelheidslezing toe te laten verstrekt. In dit magnetische geheugenapparaat, wordt een geheugencel gevormd door een paar van eerst en tweede opslagelementen tentoonstellend een ferromagnetisch tunneleffect en een paar van eerst en tweede transistors terwijl een versterker potentieel verschil tussen een beetjelijn ontdekt en een omgekeerde beetjelijn die met het paar van eerst en tweede opslagelementen wordt verbonden. Aldus, kunnen de gegevens gemakkelijk worden gelezen. Verder, kan de waarde van het kleine huidige stromen aan de beetjelijn niet ongelijk aan een geval om de geheugencel te vormen die door een opslagelement worden ontdekt een ferromagnetisch tunneleffect en een transistor tentoonstelt. Derhalve is de structuur van de versterker niet ingewikkeld. Verder, kan geen versterker die een ingewikkelde structuur heeft worden aangewend, waardoor de hoge snelheidslezing wordt toegelaten.