In the data read operation, a memory cell and a dummy memory cell are respectively coupled to two bit lines of a selected bit line pair, and a data read current is supplied thereto. In the selected memory cell column, a read gate drives the respective voltages on a read data bus pair, according to the respective voltages on the bit lines. A data read circuit amplifies the voltage difference between the read data buses so as to output read data. The use of the read gate enables the read data buses to be disconnected from a data read current path. As a result, respective voltage changes on the bit lines are rapidly produced, whereby the data read speed can be increased.

Στη διαβασμένη στοιχεία λειτουργία, ένα κύτταρο μνήμης και ένα πλαστό κύτταρο μνήμης συνδέονται αντίστοιχα με τις γραμμές δύο μπιτ ενός επιλεγμένου ζευγαριού γραμμών κομματιών, και ένα διαβασμένο στοιχεία ρεύμα παρέχεται επιπλέον. Στην επιλεγμένη στήλη κυττάρων μνήμης, μια διαβασμένη πύλη οδηγεί τις αντίστοιχες τάσεις σε ένα διαβασμένο ζευγάρι λεωφορείων στοιχείων, σύμφωνα με τις αντίστοιχες τάσεις στις γραμμές κομματιών. Ένα διαβασμένο στοιχεία κύκλωμα ενισχύει τη διαφορά τάσης μεταξύ των διαβασμένων διαβασμένων παραγωγή στοιχείων λεωφορείων στοιχείων ώστε. Η χρήση της διαβασμένης πύλης επιτρέπει στα διαβασμένα λεωφορεία στοιχείων για να αποσυνδεθεί από μια διαβασμένη στοιχεία τρέχουσα πορεία. Κατά συνέπεια, οι αντίστοιχες αλλαγές τάσης στις γραμμές κομματιών παράγονται γρήγορα, με το οποίο τα στοιχεία που διαβάζονται την ταχύτητα μπορούν να αυξηθούν.