A magneto-resistive random access memory (MRAM) configuration is described in which a plurality of memory cell blocks are supplied with operating voltages that differ from one another in each case. This results in that the chip voltage supply of about 2 to 3 V can be better utilized. The memory cell blocks are formed of memory cells disposed at cross-over points of word lines and bit lines.

Se describe una configuración magnetoresistente de la memoria de acceso al azar (MRAM) en la cual una pluralidad de bloques de la célula de memoria se provee de los voltajes de funcionamiento que diferencian a partir del uno otro en cada caso. Esto resulta en que la fuente del voltaje de la viruta de cerca de 2 a 3 V puede ser utilizada mejor. Los bloques de la célula de memoria se forman de las células de memoria dispuestas en los puntos del cruce de las líneas de la palabra y mordieron líneas.