An MRAM storage device includes temperature dependent current sources that adjust their outputs as temperature varies. Temperature dependent current sources include one or more diodes connected to a transistor. As temperature varies so does the voltage drop across the diodes. In addition, the MRAM data storage device includes at least one digit line, at least one bit line, and at least one MRAM cell disposed proximate to a junction of a digit line and a bit line. Each end of each digit line is connected to temperature dependent current sources and current sinks. One end of each bit line is connected to a temperature dependent current source while the other end of each bit line is connected to a current sink. Two logic signals R and D are used to activate a write operation and determine the direction of the write current in the digit line.

Um dispositivo de armazenamento de MRAM inclui as fontes atuais dependentes da temperatura que ajustam suas saídas enquanto a temperatura varia. As fontes atuais dependentes da temperatura incluem um ou mais diodo conectado a um transistor. Como a temperatura varia assim que faz a queda de tensão através dos diodos. Além, o dispositivo do armazenamento de dados de de MRAM inclui ao menos uma linha do dígito, ao menos uma linha do bocado, e ao menos um proximate disposto pilha de MRAM a uma junção de uma linha do dígito e de uma linha do bocado. Cada extremidade de cada linha do dígito é conectada às fontes atuais dependentes da temperatura e aos dissipadores atuais. Uma extremidade de cada linha do bocado está conectada a uma fonte atual dependente da temperatura quando a outra extremidade de cada linha do bocado for conectada a um dissipador atual. Dois sinais R e D da lógica são usados ativar uma operação da escrita e determinar o sentido da corrente de escrita na linha do dígito.