A semiconductor memory device includes a first wiring extending in a first direction, a second wiring extending in a second direction differing from the first direction, and a magneto resistive element arranged between the first and second wirings and including a first portion and a second portion, the second portion being in contact with the second wiring and extending along the second wiring to reach an outside region positioned outside the first portion.

Een apparaat van het halfgeleidergeheugen omvat zich zich het eerste bedrading uitbreiden in een eerste richting, het tweede bedrading uitbreiden in een tweede richting die van de eerste richting verschilt, en een magneetontstekings weerstand biedend element dat tussen de eerste en tweede bedradingen en met inbegrip van een eerste gedeelte en een tweede gedeelte, het tweede gedeelte wordt geschikt die in contact met de tweede bedrading zijn en zich langs de tweede bedrading uitbreiden om een buitengebied te bereiken dat buiten het eerste gedeelte wordt geplaatst.