There are provided silicon single crystal, silicon wafer, and epitaxial wafer having a sufficient gettering effect suitable for a large-scale integrated device. The silicon single crystal which is suitable for an epitaxial wafer is grown with nitrogen doping at a concentration of 1.times.10.sup.13 atoms/cm.sup.3 or more, or with nitrogen doping at a concentration of 1.times.10.sup.12 atoms/cm.sup.3 and carbon doping at a concentration of 0.1.times.10.sup.16 -5.times.10.sup.16 atoms/cm.sup.3 and/or boron doping at a concentration of 1.times.10.sup.17 atoms/cm.sup.3 or more. The silicon wafer is produced by slicing from the silicon single crystal, and an epitaxial layer is grown on a surface of the silicon wafer to produce the epitaxial wafer. The present invention provides an epitaxial wafer for a large-scale integrated device having no defects in a device-active region and having an excellent gettering effect without performance of an extrinsic or intrinsic gettering treatment.

Будут обеспеченный кристалл кремния одиночный, вафля кремния, и эпитаксиальная вафля имея достаточно gettering влияние целесообразное для широкомасштабного интегрированного приспособления. Кристалл кремния одиночный целесообразно для эпитаксиальной вафли растется при азот давая допинг на концентрации 1.times.10.sup.13 atoms/cm.sup.3 или больше, или при азот давая допинг на концентрации 1.times.10.sup.12 atoms/cm.sup.3 и углерода давая допинг на концентрации 0.1.times.10.sup.16 -5.times.10.sup.16 atoms/cm.sup.3 and/or бора давая допинг на концентрации 1.times.10.sup.17 atoms/cm.sup.3 или больше. Вафля кремния произведена путем отрезать от кристалла кремния одиночного, и растется, что на поверхности вафли кремния производит эпитаксиальный слой эпитаксиальную вафлю. Присытствыющий вымысел обеспечивает эпитаксиальную вафлю для широкомасштабного интегрированного приспособления не имея никакие дефекты в приспособлени-aktivno зоне и имея превосходное gettering влияние без представления extrinsic или внутреннеприсущей gettering обработки.