A method and apparatus for dicing a semiconductor wafer using a plasma etch process. The method begins by applying a patterned mask to the integrated circuits on a wafer. The pattern covers the circuits and exposes the streets between the dice. Next, the method deposits a uniform layer of adhesive material upon a carrier wafer. The wafer to be diced is affixed to the carrier wafer via the adhesive material that is sandwiched between the bottom surface of the wafer to be diced and the top surface of the carrier wafer. The combination assembly of the carrier wafer, adhesive and wafer to be diced is placed in an etch reactor that is capable of etching silicon. When the reactive gas is applied to the combination assembly, the etch plasma will consume the unprotected silicon within the streets and dice the wafer into individual integrated circuit chips. The carrier wafer is then removed from the etch chamber with the dice still attached to the adhesive layer. A well-known process is used to remove the adhesive material as well as any mask material and detach the dice from the carrier wafer.

Un método y un aparato para cortar una oblea de semiconductor en cubitos que usa un plasma graban al agua fuerte proceso. El método comienza aplicando una máscara modelada a los circuitos integrados en una oblea. El patrón cubre los circuitos y expone las calles entre los dados. Después, el método deposita una capa uniforme de material adhesivo sobre una oblea del portador. La oblea que se cortará en cubitos se pone a la oblea del portador vía el material adhesivo que se intercala entre el fondo de la oblea que se cortará en cubitos y la superficie superior de la oblea del portador. El montaje de la combinación de la oblea del portador, del pegamento y de la oblea que se cortarán en cubitos se pone en un reactor del grabado de pistas que sea capaz del silicio de la aguafuerte. Cuando el gas reactivo se aplica a la asamblea de la combinación, el plasma del grabado de pistas consumirá el silicio desprotegido dentro de las calles y cortará la oblea en cubitos en virutas de circuito integrado individuales. La oblea del portador entonces se quita del compartimiento del grabado de pistas con los dados todavía unidos a la capa adhesiva. Un proceso bien conocido se utiliza para quitar el material adhesivo así como cualquier material de la máscara y para separar los dados de la oblea del portador.