Apparatus characterizes the quality of microelectronic features using broadband white light. A highly collimated light source illuminates an area of a first wafer using broadband multi-spectral light. The angular distribution of the light scattered from the first wafer is then measured. Generally, the angle of the light source, detector, or both is altered and an angular distribution measurement taken at each angle, producing a scatter signature for the first wafer. Finally, the scatter signature of the first wafer is compared with a known scatter signature of a second wafer of good quality to determine the quality of the first wafer.

Прибор характеризует качество микроэлектронных характеристик использующ широкополосный белый огонь. Высоки коллимированный светлый источник источник освещает зону первой вафли использующ широкополосный мультиспектральный свет. Угловое распределение света разбросанного от первой вафли после этого измерено. Вообще, изменен угол источника света, детектора, или обоих и угловое измеренияе распределения сделано на каждом угле, производящ подпись scatter для первой вафли. Окончательно, подпись scatter первой вафли сравнена с знанной подписью scatter второй вафли хорошего качества для того чтобы обусловить качество первой вафли.