To make it possible to locate a physically abnormal portion such as low-resistance short-circuiting between signal wirings or an open fault in a CMOS logic circuit without any design information, in a fault portion locating method for a semiconductor integrated circuit device, a first information table showing a correspondence between a physical abnormality and a defined abnormal I.sub.DDQ change mode is prepared in advance, a second information table showing a relationship between a model of the physical abnormality and a change of a light emitting element for the I.sub.DDQ abnormal pattern in an operation test pattern by emission analysis is prepared in advance, and in fault analysis, the tables are compared with the abnormal I.sub.DDQ obtained from the actual integrated circuit and the change of the light emitting element, respectively, to locate a physically abnormal portion.

Permettre pour plac une partie physiquement anormale telle que la bas-résistance court-circuitant entre les câblages de signal ou un défaut ouvert dans un circuit logique de CMOS sans n'importe quelle information de conception, dans une partie de défaut localisant la méthode pour un dispositif de circuit intégré de semi-conducteur, une première table de l'information montrant une correspondance entre une anomalie physique et un mode anormal défini de changement d'I.sub.DDQ est préparé à l'avance, une deuxième table de l'information montrant un rapport entre un modèle de l'anomalie physique et un changement d'un élément d'émission léger pour le modèle anormal d'I.sub.DDQ dans une carte-test d'opération par analyse d'émission est préparée à l'avance, et dans l'analyse de panne, les tables sont comparées anormaux aux I.sub.DDQ obtenu à partir du circuit intégré réel et du changement de l'élément d'émission léger, respectivement, pour plac une partie physiquement anormale.