A semiconductor memory device. The device includes a bit line, a memory cell coupled to the bit line and a word line coupled to the memory cell. A first time between the receiving of a read command for a read operation in order to read data from the memory cell and the beginning of the read operation is different from a second time between the receiving of a write command for a write operation in order to write data to the memory cell and the beginning of the write operation.

Приспособление памяти полупроводника. Приспособление вклюает линию бита, ячейкы памяти соединенный к линии бита и линии слова соединенным к ячейкы памяти. Первый раз между получать прочитанной команды для прочитанных данных по деятельности прочитанных от ячейкы памяти и началом прочитанной деятельности отличает второе время между получать команды писания для деятельности писания для писания данных к ячейкы памяти и начала деятельности писания.