Indium Nitride (InN) and Indium-rich Indium Gallium Nitride (InGaN) quantum dots embedded in single and multiple In.sub.x Ga.sub.1-x N/In.sub.y Ga.sub.1-y N quantum wells (QWs) are formed by using TMIn and/or Triethylindium (TEIn), Ethyldimethylindium (EDMIn) as antisurfactant during MOCVD growth, wherein the photoluminescence wavelength from these dots ranges from 480 nm to 530 nm. Controlled amounts of TMIn and/or other Indium precursors are important in triggering the formation of dislocation-free QDs, as are the subsequent flows of ammonia and TMIn. This method can be readily used for the growth of the active layers of blue and green light emitting diodes (LEDs).

Het Nitride van het indium (InN) en de indium-Rijke quantumpunten van het Nitride van het Gallium van het Indium (InGaN) ingebed in de enige en veelvoudige quantumputten van In.sub.x ga.sub.1-X N/van In.sub.y ga.sub.1-Y N (QWs) worden gevormd door TMIn en/of Triethylindium (TEIn) te gebruiken, Ethyldimethylindium (EDMIn) zoals antisurfactant tijdens MOCVD de groei, waarin de photoluminescencegolflengte van deze punten zich van 480 NM aan 530 NM uitstrekt. De gecontroleerde hoeveelheden TMIn en/of andere voorlopers van het Indium zijn belangrijk in het teweegbrengen van de vorming van dislocatie-vrije QDs, zoals de verdere stromen van ammoniak en TMIn zijn. Deze methode kan gemakkelijk voor de groei van de actieve lagen van blauw en groen licht worden gebruikt uitzendend dioden (LEDs).