A GaN based III-V nitride semiconductor light-emitting device and a method for fabricating the same are provided. In the GaN based III-V nitride semiconductor light-emitting device including first and second electrodes arranged facing opposite directions or the same direction with a high-resistant substrate therebetween and material layers for light emission or lasing, the second electrode directly contacts a region of the outmost material layer exposed through an etched region of the high-resistant substrate. A thermal conductive layer may be formed on the bottom of the high-resistant substrate to cover the exposed region of the outmost material layer.

Um GaN baseou o dispositivo light-emitting do semicondutor do nitride de III-V e um método para fabricar o mesmo é fornecido. No GaN baseado o dispositivo light-emitting do semicondutor do nitride de III-V including primeiramente e os segundos elétrodos arranjaram revestimentos oposto aos sentidos ou o mesmo sentido com uma carcaça elevado-resistente therebetween e as camadas materiais para a emissão clara ou lasing, o segundo elétrodo contatam diretamente uma região da camada material outmost exposta com uma região gravada da carcaça elevado-resistente. Uma camada condutora térmica pode ser dada forma no fundo da carcaça elevado-resistente para cobrir a região exposta da camada material outmost.