A semiconductor device of the present invention has (1) an active element provided on a semiconductor substrate, (2) an interlayer insulating film formed so as to cover the active element, (3) a pad metal for an electrode pad which is provided on the interlayer insulating film, (4) a barrier metal layer which is provided on the active element with the interlayer insulating film therebetween, so that the pad metal is i formed on the barrier metal layer, and (5) an insulating layer having high adherence to the barrier metal layer, the insulating layer being provided between the interlayer insulating film and the barrier metal layer. With this arrangement, the adherence between the barrier metal layer, the insulating film and the interlayer insulating film is surely improved, even in the case where an external force is applied to the electrode pad upon bonding or after bonding, the barrier metal layer hardly comes off the part thereunder. Therefore, the breakdown of a level difference compensating film, and the exfoliation of the barrier metal layer from the interlayer insulating film can be prevented, while the semiconductor device of the area pad structure featuring lower costs, high quality, and high liability is constantly mass-produced. Besides, the yield of the semiconductor device is surely improved.

Un dispositivo de semiconductor de la actual invención tiene (1) un elemento activo proporcionado en un substrato del semiconductor, (2) una película aislador de la capa intermediaria formada para cubrir el elemento activo, (3) un metal del cojín para un cojín del electrodo que se proporcione en la película aislador de la capa intermediaria, (4) a la capa del metal de la barrera que se proporciona en el elemento activo de la película aislador de la capa intermediaria therebetween, de modo que el metal del cojín sea formé en la capa del metal de la barrera, y (5) una capa de aislamiento que tenía alta adherencia a la capa del metal de la barrera, la capa de aislamiento que era proporcionada entre la película aislador de la capa intermediaria y la capa del metal de la barrera. Con este arreglo, la adherencia entre la capa del metal de la barrera, la película aislador y la película aislador de la capa intermediaria se mejora seguramente, uniforme en el caso donde una fuerza externa se aplica al cojín del electrodo sobre la vinculación o después de enlazar, la capa del metal de la barrera sale apenas la pieza debajo. Por lo tanto, la interrupción de una película que compensa de la diferencia del nivel, y la exfoliación de la capa del metal de la barrera de la película aislador de la capa intermediaria pueden ser prevenidas, mientras que el dispositivo de semiconductor de la estructura del cojín del área que ofrece costos más bajos, alta calidad, y alta responsabilidad es constantemente producido en serie. Además, la producción del dispositivo de semiconductor se mejora seguramente.