In-line process control for 120 nm and 100 nm lithography using the installed scanning electron microscope (SEM) equipment base. A virtual three-dimensional representation of a photoresist feature is developed by applying a transform function to SEM intensity data representing the feature. The transform function correlates highly accurate height vector data, such as provided by a stylus nanoprofilometer or scatterometer, with the highly precise intensity data from the SEM. A multiple parameter characterization of at least one critical dimension of the virtual feature is compared to an acceptance pattern template, with the results being used to control a downstream etch process or an upstream lithography process. A multiple parameter characteristic of a three dimensional representation of the resulting post-etch final feature may be compared to device performance data to further refine the acceptance pattern template.

Inline-Prozeßsteuerung für 120 nm und 100 nm Lithographie mit der angebrachten Unterseite Ausrüstung des Rasterelektronenmikroskops (SEM). Eine virtuelle dreidimensionale Darstellung einer Photoresisteigenschaft wird entwickelt, indem man eine umwandelnfunktion an den SEM Intensität Daten anwendet, welche die Eigenschaft darstellen. Die umwandelnfunktion bezieht in hohem Grade genaue Höhe vektordaten aufeinander, wie zur Verfügung gestellt von einem Schreibkopf nanoprofilometer oder einem scatterometer, mit den in hohem Grade exakten Intensität Daten vom SEM. Eine mehrfache Parameterkennzeichnung von mindestens einem kritischen Maß der virtuellen Eigenschaft wird mit einer Annahmemusterschablone verglichen, wenn die Resultate verwendet sind, einen abwärts gerichteten Ätzungprozeß oder einen aufwärts gerichteten Lithographieprozeß zu steuern. Ein mehrfacher Parameter, der von einer dreidimensionalen Darstellung des Resultierens charakteristisch ist, Pfosten-ätzen abschließende Eigenschaft kann mit Vorrichtung Leistung Daten verglichen werden, um die Annahmemusterschablone weiter zu verfeinern.