A semiconductor laser element including: a three-dimensional photonic crystal structure which has a light confining effect and includes alternating first and second refractive index changing layers, where refractive index of light periodically changes in a first direction in each first refractive index changing layer and periodically changes in a second direction in each second refractive index changing layer; and an active unit which is disposed in a portion having a predetermined refractive index inside the three-dimensional photonic crystal structure, and generates a laser beam in response to reception of electric power.

Ein Halbleiterlaser Element einschließlich: eine dreidimensionale photonic Kristallstruktur, die einen begrenzenden Effekt des Lichtes hat und wechseln zuerst und zweite Brechungsindex ändernde Schichten einschließt, in denen Brechungsindex des Lichtes regelmäßig in einer ersten Richtung in jede erste Brechungsindex ändernde Schicht ändert und ändert regelmäßig in einer zweiten Richtung in jede zweite Brechungsindex ändernde Schicht; und eine aktive Maßeinheit, die in einem Teil abgeschaffen wird, der einen vorbestimmten Brechungsindex innerhalb der dreidimensionalen photonic Kristallstruktur hat und erzeugt einen Laserstrahl in Erwiderung auf Aufnahme der elektrischer Leistung.