A system and method for determining the logic state of a memory cell in a magnetic tunnel junction (MTJ) memory device based on the ratio of the current through the cell at different bias points are disclosed. A memory cell in an MJT memory device is sequentially subjected to at least two different bias voltages. The current through the cell at each of the bias voltages is measured, and a ratio of the different currents is determined. The ratio is then compared with a predetermined value to determine the logic state of the cell. The predetermined value can be a known value. Alternatively, the predetermined value can be determined by application of the system and method to a reference cell having a known logic state.

Un sistema y un método para determinar el estado de la lógica de una célula de memoria en un dispositivo de memoria magnético de la ensambladura del túnel (MTJ) basado en el cociente de la corriente a través de la célula en diversos puntos diagonales se divulgan. Una célula de memoria en un dispositivo de memoria de MJT se sujeta secuencialmente por lo menos a dos diversos voltajes de polarización. La corriente a través de la célula en cada uno de los voltajes de polarización se mide, y un cociente de las diversas corrientes se determina. El cociente entonces se compara con un valor predeterminado para determinar el estado de la lógica de la célula. El valor predeterminado puede ser un valor conocido. Alternativomente, el valor predeterminado se puede determinar por el uso del sistema y del método a una célula de la referencia que tiene un estado sabido de la lógica.