Disclosed are a fast, highly-integrated and highly-reliable magnetoresistive random access memory (MRAM) and a semiconductor device which uses the MRAM. The semiconductor device performs the read-out operation of the MRAM using memory cells for storing information by using a change in magnetoresistance of a magnetic tunnel junction (MTJ) element with a high S/N ratio. Each memory cell includes an MTJ element and a bipolar transistor. The read-out operation is carried out by selecting a word line, amplifying a current flowing in the MTJ element of a target memory cell by the bipolar transistor and outputting the amplified current to an associated read data line.

Показаны быстрый, высок-integrirovanny1 и высок-nadejny1 магниторезистивный памяти случайного доступа (MRAM) и прибора на полупроводниках который использует MRAM. Прибора на полупроводниках выполняет деятельность отсчета MRAM использующ ячейкы памяти для хранить информация путем использование изменения в magnetoresistance магнитного элемента соединения тоннеля (MTJ) с высоким коэффициентом S/N. Каждый ячейкы памяти вклюает элемент MTJ и двухполярный транзистор. Деятельность отсчета снесена вне путем выбирать линию слова, усиливающ в настоящее время пропускать в элементе MTJ ячейкы памяти цели двухполярным транзистором и вывидить наружу усиленное течение к associated прочитанных телевизионная строка с данными телетекста.