A method of forming self-aligned recessed MRAM structures is disclosed. Recessed pinned and sense magnetic layers of an MRAM stack are formed in recessed digit lines formed in an insulating layer.

Une méthode de former les structures de MRAM enfoncées par art de l'auto-portrait-aligned est révélée. Enfoncé des couches magnétiques goupillé et de sens d'une pile de MRAM sont formées dans les lignes enfoncées de chiffre formées dans une couche de isolation.