An MRAM construction can include an MRAM device between a pair of substantially orthogonal conductive lines, with one of the substantially orthogonal conductive lines being configured to induce H.sub.x within the device, and the other being configured to induce H.sub.y within the device. A first pulse of current is passed along a first of the two conductive lines while passing at least two sequential pulses of current along a second of the two conductive lines. The sequential pulses include a pulse along a first direction of the second of the two conductive lines, and a pulse along a second direction opposite to the first direction.

Une construction de MRAM peut inclure un dispositif de MRAM entre une paire de lignes conductrices essentiellement orthogonales, avec une des lignes conductrices essentiellement orthogonales étant configurées pour induire H.sub.x dans le dispositif, et l'autre étant configuré pour induire H.sub.y dans le dispositif. Une première impulsion du courant est passée le long d'une première des deux lignes conductrices tout en passant au moins deux impulsions séquentielles du courant le long d'une seconde des deux lignes conductrices. Les impulsions séquentielles incluent une impulsion le long d'une première direction de la seconde des deux lignes conductrices, et une impulsion le long d'une deuxième direction vis-à-vis la première direction.