A solid-state inductor and a method for forming a solid-state inductor are
provided. The method comprises: forming a bottom electrode; forming a
colossal magnetoresistance (CMR) thin film overlying the bottom electrode;
forming a top electrode overlying the CMR thin film; applying an
electrical field treatment to the CMR thin film in the range of 0.4 to 1
megavolts per centimeter (MV/cm) with a pulse width in the range of 100
nanoseconds (ns) to 1 millisecond (ms); in response to the electrical
field treatment, converting the CMR thin film into a CMR thin film
inductor; applying a bias voltage between the top and bottom electrodes;
and, in response to the applied bias voltage, creating an inductance
between the top and bottom electrodes. When the applied bias voltage is
varied, the inductance varies in response.
Un induttore di solid-dichiarare e un metodo per formare un induttore di solid-dichiarare sono forniti. Il metodo contiene: formare un elettrodo inferiore; formare una pellicola sottile colossal di magnetoresistenza (CMR) che ricopre l'elettrodo inferiore; formare un elettrodo superiore che ricopre la pellicola sottile di CMR; applicando un trattamento sul terreno elettrico alla pellicola sottile di CMR nella gamma di megavolts 0.4 - 1 per il centimetro (MV/cm) con una larghezza di impulso nella gamma di 100 nanosecondi (NS) a 1 millisecondo (spettrografia di massa); in risposta al trattamento sul terreno elettrico, convertente la pellicola sottile di CMR in induttore della pellicola sottile di CMR; applicazione della tensione di polarizzazione fra gli elettrodi alti e bassi; e, in risposta alla tensione di polarizzazione applicata, generante un'induttanza fra gli elettrodi alti e bassi. Quando la tensione di polarizzazione applicata รจ variata, l'induttanza varia nella risposta.
