A modified susceptor for use in an epitaxial deposition apparatus and process is disclosed. The modified susceptor has an inner annular ledge capable of supporting a semiconductor wafer and has a plurality of holes in the surface to allow cleaning gas utilized during an epitaxial deposition process to pass through the susceptor and contact substantially the entire back surface of the semiconductor wafer and remove a native oxide layer. Also, the plurality of holes on the susceptor allows dopant atoms out-diffused from the back surface during the epitaxial deposition process to be carried away from the front surface in an inert gas stream and into the exhaust such that autodoping of the front surface is minimized.

Un susceptor modificado para el uso en un aparato y un proceso epitaxial de la deposición se divulga. El susceptor modificado tiene una repisa anular interna capaz de apoyar una oblea de semiconductor y tiene una pluralidad de agujeros en la superficie para permitir el gas de la limpieza utilizado durante un proceso epitaxial de la deposición al paso con el susceptor y para entrar en contacto con substancialmente la superficie trasera entera de la oblea de semiconductor y para quitar una capa nativa del óxido. También, la pluralidad de agujeros en el susceptor permite los átomos del dopant hacia fuera-difundidos de la superficie trasera durante el proceso epitaxial de la deposición que se llevará de la superficie delantera en una corriente del gas inerte y en el extractor tales que el autodoping de la superficie delantera está reducido al mínimo.