Polymerizable monomers having silicon containing groups that are transparent at 193 nm; and ethylenically unsaturated group are provided. Polymers from these monomers can be used in processes for forming sub-100 nm images with a chemically amplified, radiation sensitive bilayer resist. The bilayer resist is disposed on a substrate and comprises (i) a top imaging layer comprising a radiation sensitive acid generator and (ii) an organic underlayer. The bilayer resist can be used in the manufacturing of integrated circuits.

Polymerizable monomeren die silicium hebben dat groepen bevat die bij 193 NM transparant zijn; en wat ethyleen betreft wordt de onverzadigde groep verstrekt. De polymeren van deze monomeren kunnen in processen worden gebruikt om sub-100 NMBEELDEN met chemisch vergroot te vormen, straling gevoelige bilayer zich verzet tegen. Bilayer verzet tegenzich wordt geschikt op een substraat en bestaat (i) uit een hoogste weergavelaag bestaand uit een stralings gevoelige zure generator en (ii) uit een organische underlayer. Bilayer verzet tegenzich kan in de productie van geïntegreerde schakelingen worden gebruikt.