Equipment for a communication system has a semiconductor device formed by integrating a Schottky diode, a MOSFET, a capacitor, and an inductor in a SiC substrate. The SiC substrate has a first multilayer portion and a second multilayer portion provided upwardly in this order. The first multilayer portion is composed of .delta.-doped layers each containing an n-type impurity (nitrogen) at a high concentration and undoped layers which are alternately stacked. The second multilayer portion is composed of .delta.-doped layers each containing a p-type impurity (aluminum) at a high concentration and undoped layers which are alternately stacked. Carriers in the .delta.-doped layers spread out extensively to the undoped layers. Because of a low impurity concentration in each of the undoped layers, scattering by impurity ions is reduced so that a low resistance and a high breakdown voltage are obtained.

L'apparecchiatura per un sistema di comunicazione ha un dispositivo a semiconduttore costituito dall'integrata un diodo dello Schottky, un MOSFET, un condensatore e dell'induttore in un substrato di SiC. Il substrato di SiC ha una prima parte a più strati e una seconda parte a più strati fornite in alto in questo ordine. La prima parte a più strati si compone di strati delta.-verniciati ciascuno che contiene un n-tipo l'impurità (azoto) ad un'alta concentrazione e di strati undoped che alternatamente sono impilati. La seconda parte a più strati si compone di strati delta.-verniciati ciascuno che contiene un p-tipo l'impurità (alluminio) ad un'alta concentrazione e di strati undoped che alternatamente sono impilati. Elementi portanti negli strati delta.-verniciati sparsi estesamente fuori agli strati undoped. A causa di una concentrazione di impurità bassa in ciascuno degli strati undoped, spargere dagli ioni dell'impurità è ridotta in moda da ottenere una resistenza bassa e un'alta tensione di ripartizione.