A semiconductor device having laminated successively a porous semiconductor layer, an inorganic semiconductor layer, and optionally an organic substance layer formed therebetween is disclosed. The semiconductor device is produced by immersing a porous semiconductor layer or a semiconductor layer having an organic substance layer on the surface thereof in a solution containing the elements constituting an inorganic semiconductor or compounds of the elements and forming the inorganic semiconductor layer on the porous semiconductor layer or the organic substance layer in the solution.

Un dispositif de semi-conducteur ayant stratifié successivement une couche poreuse de semi-conducteur, une couche inorganique de semi-conducteur, et sur option une couche organique de substance formée therebetween est révélé. Le dispositif de semi-conducteur est produit en immergeant une couche poreuse de semi-conducteur ou une couche de semi-conducteur ayant une couche organique de substance sur la surface en dans une solution contenant les éléments constituant un semi-conducteur inorganique ou des composés des éléments et formant la couche inorganique de semi-conducteur sur la couche poreuse de semi-conducteur ou la couche organique de substance dans la solution.