One aspect of the present invention relates to a system and method for controlling thermal expansion on an EUV mask during EUV photolithography. The system includes an EUV photolithography system for irradiating one or more layers of a wafer through one or more gratings of a patterned EUV mask, whereby heat accumulates on at least a portion of the patterned EUV mask during the irradiation of the one or more layers of the wafer; an EUV mask inspection system for monitoring the one or more gratings on the mask to detect expansion therein, the inspection system producing data relating to the mask; and a temperature control system operatively coupled to the inspection system for making adjustments to the EUV photolithography system in order to compensate for the detected expansion on the mask. The method involves employing feedback and feed forward control to optimize the current and future EUV photolithography processes.

Één aspect van de onderhavige uitvinding heeft op een systeem en een methode om thermische uitbreiding op een masker EUV tijdens fotolithografie te controleren EUV betrekking. Het systeem omvat een EUV fotolithografiesysteem om één of meerdere lagen van een wafeltje door één of meerdere gratings van een gevormd masker te bestralen EUV, waardoor de hitte op minstens een gedeelte van het gevormde masker EUV tijdens de straling van de één of meerdere lagen van het wafeltje accumuleert; een EUV systeem van de maskerinspectie om één of meerdere gratings op het masker te controleren om uitbreiding te ontdekken daarin, het inspectiesysteem dat gegevens met betrekking tot het masker produceert; en een systeem van de temperatuurcontrole dat doeltreffend aan het inspectiesysteem wordt gekoppeld om aanpassingen aan het EUV fotolithografiesysteem te maken om de ontdekte uitbreiding op het masker te compenseren. De methode houdt het aanwenden van terugkoppeling in en het voer controleert vooruit om de huidige en toekomstige EUV fotolithografieprocessen te optimaliseren.