The present invention provides a semiconductor device including a first
gate--gate electrode layer located in a first conductive layer and
including gate electrodes of a first load transistor and a first driver
transistor and a second gate--gate electrode layer located in the first
conductive layer and including gate electrodes of a second load transistor
and a second driver transistor. A first drain--drain connecting layer is
located in a second conductive layer which is an upper layer of the first
conductive layer and connects a drain of the first load transistor with a
drain of the first driver transistor. A second drain--drain connecting
layer is located in the second conductive layer and connects a drain of
the second load transistor with a drain of the second driver transistor. A
first drain-gate connecting layer is located in a third conductive layer
which is an upper layer of the first and second drain--drain connecting
layers and connects the first drain--drain connecting layer with the
second gate--gate electrode layer and a stacked contact-conductive section
connects the third conductive layer with the first conductive layer and
has a structure in which an upper layer conductive section buried in a
second interlayer dielectric used to insulate the second conductive layer
from the third conductive layer is stacked over a lower layer conductive
section buried in a first interlayer dielectric used to insulate the first
conductive layer from the second conductive layer.
Присытствыющий вымысел обеспечивает прибора на полупроводниках включая первый строб -- слой электрода строба расположенный в первом проводном слое и вклюать электроды строба первого транзистора нагрузки и первого транзистора водителя и второго строба -- слой электрода строба расположенный в первом проводном слое и вклюать электроды строба второго транзистора нагрузки и второго транзистора водителя. Первый сток -- слой стока соединяясь расположен в вторым проводным слоем будет верхний слой первого проводного слоя и подключает сток первого транзистора нагрузки с стоком первого транзистора водителя. Второй сток -- слой стока соединяясь расположен в втором проводном слое и подключает сток второго транзистора нагрузки с стоком второго транзистора водителя. Слой первого стекать-stroba соединяясь расположен в третьим проводным слоем будет верхний слой первого и второй сток -- стеките соединяясь слои и соедините первый сток -- стеките соединяясь слой с вторым стробом -- слой электрода строба и штабелированный контактировать-provodno1 раздел соединяют третий проводной слой с первым проводным слоем и имеют структуру в раздел верхнего слоя проводной похоронил в втором диэлектрике прослойка используемом для того чтобы изолировать второй проводной слой от третьего проводного слоя штабелирован над разделом более низкого слоя проводным похороненным в первом диэлектрике прослойка используемом для того чтобы изолировать первый проводной слой от второго проводного слоя.
