There is provided a photoelectric conversion device comprising a lower electrode, numerous crystalline semiconductor particles of one conductivity type deposited on the lower electrode, an insulator interposed among the crystalline semiconductor particles, and a semiconductor layer of the opposite conductivity type provided over the crystalline semiconductor particles, in which a pyramidal projection having a cross section in the shape of a trapezoid or triangle and a lateral face that faces one of the crystalline semiconductor particles is provided between the crystalline semiconductor particles. In this device, light incident on areas among the crystalline semiconductor particles is reflected or refracted by the pyramidal projection and directed into the crystalline semiconductor particles. Accordingly, this device can achieve high conversion efficiency.

Se proporciona un dispositivo fotoeléctrico de la conversión que abarca un electrodo más bajo, partículas cristalinas numerosas del semiconductor de un tipo de la conductividad depositado en el electrodo más bajo, un aislador interpuesto entre las partículas cristalinas del semiconductor, y una capa del semiconductor del tipo opuesto de la conductividad proporcionado sobre las partículas cristalinas del semiconductor, en las cuales una proyección pyramidal que tiene una sección transversal en la forma de un trapezoide o un triángulo y una cara lateral que haga frente una de las partículas cristalinas del semiconductor se proporciona entre las partículas cristalinas del semiconductor. En este dispositivo, el incidente ligero en áreas entre las partículas cristalinas del semiconductor es reflejado o refractado por la proyección pyramidal y dirigido en las partículas cristalinas del semiconductor. Por consiguiente, este dispositivo puede alcanzar alta eficacia de la conversión.