According to the present invention, there is provided an N-type insulated gate field effect transistor using an SOI substrate of which Si layer as a device formation area is N-type. The SOI substrate provided as the device formation area has the N-type semiconductor region, which has an impurity concentration higher than the impurity concentration of the device formation area, formed so that the N-type semiconductor region is contacted to a part of a gate insulating film and a field silicon oxide film formed between a source electrode and a drain electrode, and extends to be contacted to the N-type semiconductor diffusion layer contacted to the drain electrode. According to the above arrangement, the on-state breakdown can be remarkably improved.

Согласовывать к присытствыющему вымыслу, там обеспечен изолированному Н-tipom транзистору влияния поля строба использующ субстрат SOI которого слоем кремния как зона образования приспособления будет Н-tip. Субстрат SOI обеспеченный как зона образования приспособления имеет сформированную зону полупроводника Н-tipa, которая имеет концентрацию примеси более высоко чем концентрация примеси зоны образования приспособления, так, что зона полупроводника Н-tipa будет контактирована к части пленки строба изолируя и пленки окиси кремния поля сформированных между электродом источника и электродом стока, и удлиняет быть контактированным к слою диффузии полупроводника Н-tipa контактированному к электроду стока. Согласно вышеуказанному расположению, нервное расстройство на-polojeni4 можно замечательн улучшить.