Bipolar transistors and methods for fabricating bipolar transistors are disclosed wherein an emitter-base dielectric stack is formed between emitter and base structures, comprising a carbide layer situated between first and second oxide layers. The carbide layer provides an etch stop for etching the overlying oxide layer, and the underlying oxide layer provides an etch stop for etching the carbide layer to form an emitter-base contact opening.

Οι διπολικές κρυσταλλολυχνίες και οι μέθοδοι για τις διπολικές κρυσταλλολυχνίες αποκαλύπτονται όπου ένας emitter-base διηλεκτρικός σωρός διαμορφώνεται μεταξύ των δομών εκπομπών και βάσεων, περιλαμβάνοντας ένα στρώμα καρβιδίου που τοποθετούνται μεταξύ πρώτα και τα δεύτερα στρώματα οξειδίων. Το στρώμα καρβιδίου παρέχει ότι χαράξτε τη στάση για τη χάραξη του στρώματος οξειδίων κάλυψης, και το ελλοχεύον στρώμα οξειδίων παρέχει χαράξτε τη στάση για τη χάραξη του στρώματος καρβιδίου για να διαμορφώσει ένα emitter-base άνοιγμα επαφών.