Disclosed is a semiconductor device manufacturing apparatus provided with a rotational gas injector for supplying source gases at an upper portion of a reaction chamber. According to the invention, source gases are injected from the upside of the wafers through the rotational type gas injector, and non-reacted gases are exhausted into the downside space of the wafers, so that lowering in the thickness uniformity of a thin film due to the horizontal flow of source gases provided in the conventional art decrease remarkably. Accordingly, although multiple wafers are loaded in a single reaction chamber, a thin film having very high thickness uniformity can be deposited with respect to all the wafers, thereby capable of enhancing the productivity.

É divulgado um instrumento do manufacturing do dispositivo de semicondutor fornecido com um injector rotatório do gás para gáses fornecendo da fonte em uma parcela superior de uma câmara da reação. De acordo com a invenção, os gáses da fonte são injetados do upside dos wafers através do tipo rotatório injector do gás, e os gáses non-reagidos são esgotados no espaço downside dos wafers, de modo que abaixar na uniformidade da espessura de uma película fina devido ao fluxo horizontal de gáses da fonte forneça na diminuição convencional da arte notàvelmente. Conformemente, embora os wafers múltiplos sejam carregados em uma única câmara da reação, uma película fina que tem a uniformidade muito elevada da espessura pode ser depositada com respeito a todos os wafers, desse modo capazes de realçar a produtividade.