A thin film head includes a GMR element formed of an antiferromagnetic layer, a pinning layer, a nonmagnetic conductive layer, a free magnetic layer, and a pair of the right and the left laminated longitudinal biasing layers. Each of the biasing layers contains a high coercivity ferromagnetic layer, a nonmagnetic layer and a low coercivity ferromagnetic layer provided on the free magnetic layer of the GMR element. The high coercivity ferromagnetic layer and low coercivity ferromagnetic layer are antiferromagnetically exchange-coupled via the nonmagnetic layer, and the high coercivity ferromagnetic layer and free magnetic layer located next to the high coercivity ferromagnetic layer are ferromagnetically coupled.

Ένα κεφάλι λεπτών ταινιών περιλαμβάνει ένα στοιχείο GMR που διαμορφώνεται ενός αντισιδηρομαγνητικού στρώματος, ενός στρώματος ανάρτησης, ενός nonmagnetic αγώγιμου στρώματος, ενός ελεύθερου μαγνητικού στρώματος, και ενός ζευγαριού του δικαιώματος και των αριστερών τοποθετημένων σε στρώματα διαμήκων προκαταλαμβάνοντας στρωμάτων. Κάθε ένα από τα προκαταλαμβάνοντας στρώματα περιέχει ένα υψηλό σιδηρομαγνητικό στρώμα coercivity, ένα nonmagnetic στρώμα και ένα χαμηλό σιδηρομαγνητικό στρώμα coercivity που παρέχονται στο ελεύθερο μαγνητικό στρώμα του στοιχείου GMR. Το υψηλό σιδηρομαγνητικό στρώμα coercivity και το χαμηλό σιδηρομαγνητικό στρώμα coercivity ανταλλαγή-συνδέονται antiferromagnetically μέσω του nonmagnetic στρώματος, και το υψηλό ελεύθερου μαγνητικό στρώμα στρώματος coercivity σιδηρομαγνητικό και που βρίσκεται δίπλα στο υψηλό σιδηρομαγνητικό στρώμα coercivity συνδέεται ferromagnetically.

 
Web www.patentalert.com

< Thermal dye transfer receiver element with microvoided support

< Ink with near infrared fluorophores and U.V. absorbers

> Semiconductor device with electrically coupled spiral inductors

> Symmetric inducting device for an integrated circuit having a ground shield

~ 00094