Within a method for forming a planarizing layer within a microelectronic fabrication, there is employed formed upon a partially photoexposed planarizing layer formed of a partially photoexposed negative photoresist material a sacrificial layer. Within the method, when sequentially: (1) stripping from the partially photoexposed planarizing layer the sacrificial layer; and (2) developing the partially photoexposed planarizing layer to form a developed planarizing layer, the developed planarizing layer is formed with enhanced planarity and diminished thickness.

В пределах метода для формировать planarizing слой в пределах микроэлектронного изготовления, там использует сформировал на а частично photoexposed planarizing слой сформированный а частично photoexposed отрицательный материал фоторезиста жертвенный слой. В пределах метода, когда последовательн: (1) раздевающ от частично photoexposed planarizing слой жертвенный слой; и (2) превращаться частично photoexposed planarizing слой для того чтобы сформировать начатый planarizing слой, начатый planarizing слой сформирован с увеличенным planarity и умаленной толщиной.