In order to design on-chip interconnect structures in a flexible way, a CAD approach is advocated in three dimensions, describing high frequency effects such as current redistribution due to the skin-effect or eddy currents and the occurrence of slow-wave modes. The electromagnetic environment is described by a scalar electric potential and a magnetic vector potential. These potentials are not uniquely defined, and in order to obtain a consistent discretization scheme, a gauge-transformation field is introduced. The displacement current is taken into account to describe current redistribution and a small-signal analysis solution scheme is proposed based upon existing techniques for static fields in semiconductors. In addition methods and apparatus for refining the mesh used for numerical analysis is described.

Om op-spaander te ontwerpen verbind structuren op een flexibele manier onderling, wordt een CAD benadering bepleit in drie afmetingen, beschrijvend hoge frequentiegevolgen zoals huidige herdistributie toe te schrijven aan het huid-gevolg of de wervelstromen en het voorkomen van langzaam-golfwijzen. Het elektromagnetische milieu wordt beschreven door een scalair elektrisch potentieel en een magnetisch vectorpotentieel. Dit potentieel wordt niet uniek bepaald, en om een verenigbare discretization regeling te verkrijgen, wordt een maat-transformatie gebied geïntroduceerd. De verplaatsingsstroom wordt in acht genomen om huidige herdistributie te beschrijven en een de oplossingsregeling wordt van de klein-signaalanalyse voorgesteld gebaseerd op bestaande technieken voor statische gebieden in halfgeleiders. Daarnaast worden de methodes en het apparaat om het netwerk te raffineren dat voor numerieke analyse wordt gebruikt beschreven.