Disclosed is a system for detecting anomalies associated with a sample. The system includes an objective arranged proximate to a sample while the sample is undergoing chemical mechanical polishing and a beam source arranged to generate an incident beam and direct the incident beam through the objective and toward the sample while the sample is undergoing chemical mechanical polishing. The system also includes a sensor arranged to detect a scattered beam reflected from at least one anomaly associated with the sample while the sample is undergoing chemical mechanical polishing, the scattered beam being in response to the incident beam. The scattered beam indicates a characteristic of the anomaly, such as particle size.

Gegeben ein System für das Ermitteln der Abweichungen frei, die mit einer Probe verbunden sind. Das System schließt ein Zielsetzung geordnetes nächstes zu einer Probe mit ein, während die Probe das chemisches mechanisches Polieren und eine Lichtstrahlquelle, die geordnet wird, um einen Ereignislichtstrahl zu erzeugen und den Ereignislichtstrahl durch die Zielsetzung und in Richtung zur Probe zu verweisen durchmacht, während die Probe das chemisches mechanisches Polieren durchmacht. Das System schließt auch einen Sensor mit ein, der geordnet wird, um einen zerstreuten Lichtstrahl zu ermitteln, der von mindestens einer Abweichung reflektiert wird, die mit der Probe verbunden ist, während die Probe das chemisches mechanisches Polieren durchmacht, der zerstreute Lichtstrahl, der in Erwiderung auf den Ereignislichtstrahl ist. Der zerstreute Lichtstrahl zeigt eine Eigenschaft der Abweichung, wie Teilchengröße an.