A combination metrology tool is disclosed which is capable of obtaining both thermal wave and optical spectroscopy measurements on a semiconductor wafer. In a preferred embodiment, the principal combination includes a thermal wave measurement and a spectroscopic ellipsometric measurement. These measurements are used to characterize ion implantation processes in semiconductors over a large dosage range.

Ένα εργαλείο μετρολογίας συνδυασμού αποκαλύπτεται που είναι σε θέση και το θερμικό κύμα και τις οπτικές μετρήσεις φασματοσκοπίας σε μια γκοφρέτα ημιαγωγών. Σε μια προτιμημένη ενσωμάτωση, ο κύριος συνδυασμός περιλαμβάνει μια θερμική μέτρηση κυμάτων και μια φασματοσκοπική ελλιπσομετρική μέτρηση. Αυτές οι μετρήσεις χρησιμοποιούνται για να χαρακτηρίσουν τις ιονικές διαδικασίες εμφύτευσης στους ημιαγωγούς πέρα από μια μεγάλη σειρά δόσης.